長鑫官方開賣第一款國產(chǎn)DDR4內(nèi)存！單條8GB 2666MHz

長鑫官方賣DDR4/LPDDR4X內(nèi)存！單通道8GB  2666MHz

據(jù)報道，長鑫DDR  4內(nèi)存芯片能夠滿足主流市場需求，支持多領(lǐng)域應(yīng)用和多-產(chǎn)品組合，并有足夠的可靠性保證。在規(guī)格上，單芯片容量為8Gb(1GB)，頻率為2666MHz，電壓為1.2V，工作溫度為0至95，78球和96 Balfbga兩種封裝樣式。

長鑫強調(diào)，這是國內(nèi)第一款DDR4存儲芯片。

根據(jù)之前的消息，這些芯片是采用國內(nèi)第一代10納米工藝制造的，預(yù)計到2020年，月產(chǎn)能將達到4萬片(65.1328萬片)。

長鑫官方賣DDR4/LPDDR4X內(nèi)存！單通道8GB  2666MHz

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DDR4內(nèi)存模塊也是由長鑫，自主開發(fā)設(shè)計，配備原廠顆粒，有UDIMM臺式和SO-DIMM筆記本型，單個8GB容量，頻率2666MHz，電壓1.2V，工作溫度0至95。

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LPDDR4X內(nèi)存芯片號稱滿足主流需求，兼具高速和低功耗，可提供超高續(xù)航、超低功耗設(shè)計、穩(wěn)定流暢的體驗。就規(guī)格而言，單個芯片的容量為2GB和4GB，頻率為3733兆赫茲，電壓為1.8V、1.1V和0.6V，工作溫度為-30至85，采用200球FBGA封裝。

目前，長鑫已經(jīng)開始接受上述產(chǎn)品技術(shù)和銷售咨詢，相信很快就會上市。

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長鑫存儲于2016年5月在合肥， 安徽啟動，總投資1500億元，專業(yè)從事DRAM內(nèi)存的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。目前，第一家300 mm晶圓廠已經(jīng)建成投產(chǎn)，并通過專用R&D線快速迭代研發(fā)，結(jié)合目前先進的設(shè)備，開發(fā)出獨特的技術(shù)體系，大大改善了工藝。