華虹半導(dǎo)體最新推出90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺(tái)

2021-07-12 16:28:13

全球領(lǐng)先的特殊工藝純晶圓代工企業(yè)—— 華虹半導(dǎo)體有限公司今天宣布，新推出90納米超低泄漏(ULL)嵌入式閃存(eFlash)和電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)工藝平臺(tái)，滿足大容量微控制器(MCU)需求。作為華虹半導(dǎo)體0.11微米超低泄漏技術(shù)的延續(xù)，該工藝平臺(tái)為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的差異化解決方案，功耗和成本更低，適用于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、工業(yè)和汽車電子等應(yīng)用。

新推出的90 nm超低漏嵌入式flash技術(shù)平臺(tái)1.5V內(nèi)核N型和P型MOS晶體管漏電流達(dá)到0.2pA/微米，可有效延長(zhǎng)單片機(jī)器件待機(jī)時(shí)間。該平臺(tái)的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM) IP具有10萬(wàn)到50萬(wàn)次擦寫的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，讀取速度達(dá)到30ns。同時(shí)邏輯單元庫(kù)集成度高，達(dá)到400K門/mm2以上，可以在很多方面幫助客戶減少芯片面積。

這種工藝平臺(tái)最大的優(yōu)點(diǎn)是集成了公司自己的專利分柵NORD嵌入式閃存技術(shù)，在90 nm工藝下具有業(yè)界最小的單元尺寸和面積的最小嵌入式NOR閃存IP，并且具有掩膜層較少的優(yōu)勢(shì)，幫助客戶進(jìn)一步降低MCU的制造成本，尤其是大容量MCU 產(chǎn)品。平臺(tái)同時(shí)支持射頻(RF)、eFlash和EEPROM。

華虹半導(dǎo)體公司執(zhí)行副總裁孔蔚然，博士說：“公司致力于創(chuàng)新和不斷優(yōu)化差異化技術(shù)，為客戶提供急需的、經(jīng)濟(jì)高效的工藝和技術(shù)服務(wù)。在完善8英寸平臺(tái)的同時(shí)，我們將加快12英寸生產(chǎn)線的產(chǎn)能擴(kuò)張和技術(shù)研發(fā)。物聯(lián)網(wǎng)和汽車電子是單片機(jī)應(yīng)用的增量市場(chǎng)。90納米超低泄漏嵌入式閃存技術(shù)平臺(tái)的推出，進(jìn)一步拓展了華虹半導(dǎo)體單片機(jī)客戶群在超低功耗市場(chǎng)應(yīng)用領(lǐng)域的代工廠選擇空間。”