韓國成功改良NOR芯片 可大幅提升手機(jī)性能

首爾國立大學(xué)表示，該團(tuán)隊開發(fā)的NOR芯片可以克服過去的許多缺點。據(jù)負(fù)責(zé)人介紹，NOR芯片雖然可以快速跟蹤數(shù)據(jù)，但是因為NOR芯片的上限只有1GB，消耗的能量比較多，所以被NAND芯片打敗了。相比之下，NANDFlash可以存儲32GB的數(shù)據(jù)，更有優(yōu)勢。NAND芯片可用于MP3、相機(jī)和USB存儲器。

一般的NOR芯片通常不會特別，但是首爾國立大學(xué)的工程師開發(fā)的芯片有重要的特點。負(fù)責(zé)團(tuán)隊的教授表示，通過將NOR芯片彎曲成錐形，芯片的電子和物理質(zhì)量將得到全面提升，其功能在理論上可以達(dá)到NAND芯片的水平。

雖然有一些區(qū)別，但是改進(jìn)后的NOR芯片基本上可以替代NAND芯片，可以用于各種電子設(shè)備，尤其是手機(jī)。但由于傳統(tǒng)NOR芯片價格較高，改進(jìn)后的NOR芯片是否會受到價格的限制還有待觀察。

然而，對于三星三星電子和其他韓國技術(shù)巨頭來說，使用國內(nèi)技術(shù)將有助于控制成本，從而提高他們對英特爾的競爭力

據(jù)報道，2010年閃存市場，包括或非門和與非門芯片，預(yù)計將超過200億美元，高于2009年的180億美元。

改進(jìn)NOR芯片項目由韓國政府資助，歷時4年，投資3億韓元(約合26.7萬美元)。