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下一代晶體管露臉

2021-03-20 18:02:56
ATDF公司和惠普公司最近展示了45納米多柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的技術(shù)節(jié)點(diǎn)
先進(jìn)的半導(dǎo)體器件MuGFET的技術(shù)能力最終可能會(huì)取代傳統(tǒng)的CMOS晶體管。
ATDF在惠普測(cè)試芯片部門(mén)的協(xié)助下生產(chǎn)這種半導(dǎo)體，該部門(mén)用它來(lái)建立測(cè)試芯片的基礎(chǔ)設(shè)施
和項(xiàng)目管理技術(shù)，以協(xié)助ATDF滿足非凡的設(shè)計(jì)和交付要求的標(biāo)記。
隨著MuGFET開(kāi)發(fā)項(xiàng)目第一階段的結(jié)束，ATDF可以用于任何需要采用這項(xiàng)技術(shù)的公司
該公司將提供測(cè)試芯片。其他項(xiàng)目實(shí)施階段將解決演示實(shí)驗(yàn)中的制造問(wèn)題，如mosfet下降。
與傳統(tǒng)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件相比，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管被認(rèn)為是符合摩爾定律和國(guó)際要求的
ITRS要求的可選設(shè)備。

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