刻蝕是半導體制造業(yè)的一個關(guān)鍵環(huán)節(jié)?？涛g通過物理或化學方法去除硅晶片表面上不必要的材料，以便正確地將掩模圖案復制到涂覆的硅晶片上。
刻蝕進程需要刻蝕機器。現(xiàn)在，雖然中國在光刻機領(lǐng)域難以突破，但在刻蝕機器領(lǐng)域已經(jīng)有所突破。
中微半導體是刻蝕，的龍頭企業(yè)，由尹志堯于2004年創(chuàng)立。
尹志堯是半導體領(lǐng)域的大人物，已經(jīng)為英特爾和應(yīng)用材料等巨頭工作了20多年。目前，應(yīng)用材料在全球刻蝕機械市場排名第三，份額為19%。
中微半導體5納米刻蝕機成功進入臺積電生產(chǎn)線
因此，尹志堯擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗。當時，有30多個精英團隊與尹志堯一起回國。在這群人的共同努力下，中微半導體一直在深入挖掘中等刻蝕的領(lǐng)域，成為行業(yè)內(nèi)新的黑馬。
經(jīng)過十多年的堅持，中微半導體成功實現(xiàn)了從65納米到最先進的5納米的突破。此外，中微半導體的5納米刻蝕機已成功進入臺積電生產(chǎn)線
因此，中微半導體成為mainland China本地設(shè)備制造商中唯一被臺積電認可的制造商。
中微半導體的這一系列成就給美國帶來了壓力。為了搶占中國市場，2015年，美國商務(wù)部解除了對中國等離子刻蝕設(shè)備的出口管制。
中微半導體的突破與其對R&D的重視密不可分.
根據(jù)IPRdaily和incoPat近日聯(lián)合發(fā)布的“科創(chuàng)板225家上市公司有效發(fā)明專利名單”，中微半導體排名第六，全球發(fā)明專利，共有1142家，數(shù)量可觀。
中微半導體每年都投入大量資金進行研發(fā)，2019年公司在R&D投資4.25億元.今年，公司收入為19.47億元，R&D投資約占收入的21.8%。
這個比例堪比很多海外科技巨頭。憑借在R&D的巨額投資，中微半導體可以如此迅速地取得輝煌的突破。
目前，中微半導體的性能不斷提高。根據(jù)中微半導體2020年度業(yè)績預測，歸屬于母公司所有者的凈利潤同比至少增長133.34%，達到4.4-5.2億元。
中微半導體的迅速崛起引起了人們的關(guān)注。但也要認識到，目前公司規(guī)模有限，很難與半導體巨頭競爭。
而且，刻蝕全球設(shè)備市場處于寡頭壟斷狀態(tài)，盤林半導體、TEL、應(yīng)用材料三大巨頭占據(jù)了行業(yè)內(nèi)近91%的市場。這給中微半導體的發(fā)展帶來了挑戰(zhàn)。
此外，刻蝕設(shè)備更新速度快，所以中微半導體必須不斷克服，保持技術(shù)領(lǐng)先。
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2021-02-24 15:20:56
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