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如何選擇MOSFET——電機(jī)控制

2020-12-19 10:05:11
本文主要從終端應(yīng)用中用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的場(chǎng)效應(yīng)管入手,討論特定終端應(yīng)用的具體考慮。電機(jī)控制是30V-100V分立金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)巨大且快速增長的市場(chǎng),特別是對(duì)于驅(qū)動(dòng)DC電機(jī)的許多拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在這里,我們將重點(diǎn)討論如何選擇合適的場(chǎng)效應(yīng)晶體管來驅(qū)動(dòng)有刷電機(jī)、無刷電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)。雖然硬性規(guī)定很少,可能還有無數(shù)方法,但希望這篇文章能讓你知道基于終端應(yīng)用從何入手。
首先,也可能是最簡(jiǎn)單的選擇是你需要什么樣的擊穿電壓。由于電機(jī)控制往往具有較低的頻率,它將產(chǎn)生比電源應(yīng)用更低的振鈴,因此輸入電源軌和場(chǎng)效應(yīng)晶體管擊穿之間的裕量將更加活躍(通常以使用緩沖器為代價(jià)),從而獲得更低電阻的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。不過一般來說,在BVDSS和最大輸入電壓VIN之間保持40%的緩沖不是什么壞規(guī)則。——取決于你期望的振鈴數(shù)和你愿意用外部無源元件壓制的振鈴數(shù),一般多10%或少10%。
選擇封裝類型可能是最關(guān)鍵的決定,這完全取決于設(shè)計(jì)的功率密度要求(見圖1)。在2A以下,場(chǎng)效應(yīng)晶體管經(jīng)常(但不總是)被吸收到驅(qū)動(dòng)器集成電路中。在10A以下的步進(jìn)電機(jī)以及低電流電刷和無刷應(yīng)用中,小型PQFN設(shè)備(SON  2毫米x  2毫米、SON  3.3mm毫米x  3.3mm毫米)可以提供最佳的功率密度。如果你優(yōu)先考慮低成本而不是更高的功率密度,舊的SOIC封裝就可以了,但它不可避免地會(huì)占用更多的印刷電路板空間。
本文主要從終端應(yīng)用中用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的場(chǎng)效應(yīng)管入手,討論特定終端應(yīng)用的具體考慮。電機(jī)控制是30V-100V分立金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)巨大且快速增長的市場(chǎng),特別是對(duì)于驅(qū)動(dòng)DC電機(jī)的許多拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在這里,我們將重點(diǎn)討論如何選擇合適的場(chǎng)效應(yīng)晶體管來驅(qū)動(dòng)有刷電機(jī)、無刷電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)。雖然硬性規(guī)定很少,可能還有無數(shù)方法,但希望這篇文章能讓你知道基于終端應(yīng)用從何入手。
首先,也可能是最簡(jiǎn)單的選擇是你需要什么樣的擊穿電壓。由于電機(jī)控制往往具有較低的頻率,它將產(chǎn)生比電源應(yīng)用更低的振鈴,因此輸入電源軌和場(chǎng)效應(yīng)晶體管擊穿之間的裕量將更加活躍(通常以使用緩沖器為代價(jià)),從而獲得更低電阻的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。不過一般來說,在BVDSS和最大輸入電壓VIN之間保持40%的緩沖不是什么壞規(guī)則。——取決于你期望的振鈴數(shù)和你愿意用外部無源元件壓制的振鈴數(shù),一般多10%或少10%。
選擇封裝類型可能是最關(guān)鍵的決定,這完全取決于設(shè)計(jì)的功率密度要求(見圖1)。在2A以下,場(chǎng)效應(yīng)晶體管經(jīng)常(但不總是)被吸收到驅(qū)動(dòng)器集成電路中。在10A以下的步進(jìn)電機(jī)以及低電流電刷和無刷應(yīng)用中,小型PQFN設(shè)備(SON  2毫米x  2毫米、SON  3.3mm毫米x  3.3mm毫米)可以提供最佳的功率密度。如果你優(yōu)先考慮低成本而不是更高的功率密度,舊的SOIC封裝就可以了,但它不可避免地會(huì)占用更多的印刷電路板空間。

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