英飛凌650 V CoolSiC MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來(lái)最佳可靠性和性能

“隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌已經(jīng)在600伏/650伏部分改進(jìn)了其硅基、碳化硅和氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的組合，”英飛凌電源管理和多元化市場(chǎng)部門(mén)的高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級(jí)總監(jiān)斯特芬梅茨格說(shuō)。“這凸顯了我們?cè)谑袌?chǎng)上的獨(dú)特地位：英飛凌是市場(chǎng)上唯一能夠提供涵蓋硅、碳化硅和氮化鎵等材料的全系列電源產(chǎn)品的制造商。而新酷訊呢？該系列是我們成為工業(yè)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)領(lǐng)域第一大供應(yīng)商的有力支持。”

650 V  CoolSiC  MOSFET器件的額定值在27 m至107 m之間，可用于典型的TO-247 3引腳封裝和TO-247 4引腳封裝，開(kāi)關(guān)損耗較低。以過(guò)去發(fā)布的所有CoolSiC？與金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管產(chǎn)品相比，新的650伏系列基于英飛凌先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體技術(shù)，通過(guò)充分發(fā)揮碳化硅強(qiáng)大的物理特性，該器件具有出色的可靠性、出色的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗。此外，它們具有最高的跨導(dǎo)水平(增益)、4V閾值電壓(Vth)和短路魯棒性。總之，溝槽技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和操作中的最佳可靠性，而不會(huì)有任何折衷。

650 V  CoolSiC與市面上其他硅基和碳化硅解決方案相比？MOSFET可以帶來(lái)更吸引人的優(yōu)勢(shì)：更高的開(kāi)關(guān)頻率下更好的開(kāi)關(guān)效率和出色的可靠性。由于超低溫相關(guān)導(dǎo)通電阻(RDS(on))，這些器件具有出色的熱性能。此外，它們還使用反向恢復(fù)電荷非常低的堅(jiān)固體二極管：比最好的超結(jié)酷金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管低80%。其換向魯棒性使其易于實(shí)現(xiàn)98%的整體系統(tǒng)效率，如圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)通過(guò)連續(xù)導(dǎo)通模式。

為了簡(jiǎn)化使用650 VCoolSiC  MOSFET的應(yīng)用設(shè)計(jì)，并確保器件的高效運(yùn)行，英飛凌還提供專用單通道和雙通道電氣隔離的愛(ài)塞德河?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)集成電路。該解決方案(集成酷訊開(kāi)關(guān)和專用柵極驅(qū)動(dòng)集成電路)有助于降低系統(tǒng)成本和總擁有成本，提高能效?？峁鑸?chǎng)效應(yīng)晶體管能和其他英飛凌電子器件一起使用嗎？柵極驅(qū)動(dòng)系列集成電路的無(wú)縫合作。