三星宣布已開發(fā)首款10納米第三代超高性能和高功效DRAM

隨著10納米成為業(yè)界最小的存儲(chǔ)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，三星現(xiàn)在已經(jīng)準(zhǔn)備好滿足不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。與以前的1Y納米級(jí)版本相比，新DDR4動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的制造生產(chǎn)率提高了20%以上。

10納米8Gb  DDR4將于今年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)，以適應(yīng)預(yù)計(jì)于2020年推出的下一代企業(yè)服務(wù)器和高端PC。

“我們致力于突破技術(shù)面臨的最大挑戰(zhàn)，以推動(dòng)我們實(shí)現(xiàn)更大的創(chuàng)新。我們很高興為下一代動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的穩(wěn)定生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)，確保最大的性能和能效。”三星，電子動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器產(chǎn)品和技術(shù)執(zhí)行副總裁李榮培說。“在我們構(gòu)建10納米動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器系列的同時(shí)，三星的目標(biāo)是支持其全球客戶部署尖端系統(tǒng)，并促進(jìn)高端存儲(chǔ)器市場(chǎng)的增長(zhǎng)。”

三星開發(fā)的10納米動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器為加速全球信息技術(shù)向下一代動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器接口(如DDR5、LPDDR5和GDDR6)的過渡鋪平了道路，這將為未來的數(shù)字創(chuàng)新提供動(dòng)力。隨后的10納米產(chǎn)品具有更高的容量和性能，將使三星能夠提高其業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力，鞏固其在高端動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，應(yīng)用包括服務(wù)器、圖形和移動(dòng)設(shè)備。

在與中央處理器制造商充分驗(yàn)證8 GB  DDR4模塊后，三星將積極與全球客戶合作，提供一系列即將推出的內(nèi)存解決方案。

根據(jù)目前的行業(yè)需求，三星計(jì)劃在其平澤網(wǎng)站上增加主內(nèi)存生產(chǎn)的比例，并與其全球信息技術(shù)客戶合作，以滿足對(duì)最先進(jìn)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求。