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UnitedSiC在650V產(chǎn)品系列中新增7個SiC FET

2020-12-18 10:55:32
聯(lián)合SiC/美商聯(lián)合SiC股份有限公司,一家碳化硅(sic)功率半導體制造商,宣布在UJ3C和UF3C系列650V  SiC場效應管中增加了七種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
這些新設備可以提供新水平的高壓電源性能,適用于快速增長的數(shù)據(jù)中心服務器電源、5G基站電信整流器、電動汽車充電器等應用。這些新器件將對設計工程師非常有吸引力,他們?nèi)匀幌矚g使用3引腳、TO220或D2PAK封裝選項,但也在努力提高功率因數(shù)校正電路、LLC諧振轉換器和相移全橋轉換器的功率性能。
美國集成電路的UJ3C和UF3C場效應晶體管產(chǎn)品系列在真正的“直接替代”功能方面是獨一無二的。通過將現(xiàn)有的硅IGBT、硅場效應晶體管、碳化硅場效應晶體管或硅超結器件替換為集成場效應晶體管,設計者可以在不改變柵極驅(qū)動電壓的情況下顯著提高系統(tǒng)性能。
兩個系列的碳化硅場效應晶體管基于UnitedSiC獨特的“共源共柵”電路配置,其中常開碳化硅JFET與單金屬氧化物半導體場效應晶體管封裝在一起,可以構建具有標準柵極驅(qū)動特性的常關碳化硅場效應晶體管器件。因此,現(xiàn)有系統(tǒng)在升級為美國集成電路“直接替代”場效應晶體管后,性能將有很大提高,傳導和開關損耗更低,熱性能增強,集成柵極靜電放電保護。如果是新的設計,聯(lián)合集成電路場效應晶體管可以提供更高的開關頻率,這帶來了顯著的系統(tǒng)優(yōu)勢,可以實現(xiàn)更高的效率,并且可以減小磁性元件和電容器等無源元件的尺寸和成本。
行業(yè)標準三引腳TO220-3L封裝可以通過美國集成電路公司的燒結銀封裝技術提供增強的熱特性。新封裝產(chǎn)品包括RDS(開)值為30和80的UJ3C器件,以及RDS(開)規(guī)格為40的UF3C器件。
三引線行業(yè)標準D2PAK-3L封裝是為表面安裝而設計的,并已通過了IPC和JEDEC的濕度靈敏度1級認證。新封裝產(chǎn)品包括RDS(on)規(guī)格為30和80的UJ3C器件,以及RDS(on)規(guī)格為30和40的UF3C器件。

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