泛林集團(tuán)推出晶圓應(yīng)力管理解決方案以支持3D NAND技術(shù)的持續(xù)

最近，世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備和服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)宣布了一項新的解決方案，幫助客戶提高芯片存儲密度，以滿足人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等應(yīng)用的需求。泛林集團(tuán)進(jìn)一步擴(kuò)大了壓力管理產(chǎn)品產(chǎn)品組合，引進(jìn)了背膜沉積設(shè)備VECTOR  DT和去除背膜和邊緣膜的濕刻蝕設(shè)備EOS  GS。

高縱橫比沉積和刻蝕工藝是實現(xiàn)3D  NAND技術(shù)可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵因素。隨著工藝層數(shù)的增加，累積的物理應(yīng)力越來越大。如何控制由此引起的晶圓翹曲成為制造過程中的一大挑戰(zhàn)。嚴(yán)重的晶圓翹曲會影響光學(xué)刻焦深，層間的對準(zhǔn)，甚至導(dǎo)致圖形結(jié)構(gòu)的扭曲，從而降低產(chǎn)品的良率。為了提高整體良率，需要對整個制造過程中多個步驟的晶圓、芯片、圖形層面的應(yīng)力進(jìn)行精心管理，甚至放棄一些可以提高產(chǎn)品性能的工藝步驟。

VECTOR  DT系統(tǒng)是泛林集團(tuán)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PEVD)產(chǎn)品系列的最新產(chǎn)品產(chǎn)品，旨在為3D  NAND制造中控制晶圓翹曲提供一種經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。VECTOR  DT完全不接觸晶圓正面，可以在晶圓背面沉積一層可調(diào)、高應(yīng)力、高質(zhì)量的薄膜，一步平整翹曲的晶圓，提高光刻效果，減少翹曲帶來的諸多問題。VECTOR  DT從一開始就被廣泛使用。隨著主流3D  NAND  產(chǎn)品推進(jìn)到96層以上，機(jī)器安裝數(shù)量將繼續(xù)增加。

除了沉積高應(yīng)力薄膜，泛林集團(tuán)還提供回刻蝕，技術(shù)，使客戶可以根據(jù)工藝要求靈活調(diào)整3D  NAND制造過程中的晶圓應(yīng)力。泛林集團(tuán)的濕刻蝕產(chǎn)品EOS  GS具有業(yè)界領(lǐng)先的濕刻蝕均勻性，可以去除背面和邊緣的薄膜，同時充分保護(hù)晶圓正面，從而形成對VECTOR  DT的有力補(bǔ)充。作為晶圓翹曲管理解決方案的一部分，泛林集團(tuán)的EOS  GS也被全球存儲芯片制造商廣泛采用。