東芝推出采用其最新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET

2020-11-11 09:07:24

東芝電子元器件及存儲(chǔ)器件有限公司(東芝)今天宣布，其“U-MOS X-H系列”產(chǎn)品線新增80v n溝道功率MOSFET - TPH2R408QM和采用其最新一代工藝制造的TPN19008QM。新型MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站中使用的工業(yè)設(shè)備的開(kāi)關(guān)電源。

新增加的產(chǎn)品包括表面貼裝SOP Advance封裝中的“TPH2R408QM”和TSON Advance封裝中的“TPN19008QM”。產(chǎn)品今天開(kāi)始出貨。

與目前u-mos -h系列中的80V 產(chǎn)品相比，新的80V U-MOS X-H 產(chǎn)品由于采用了最新一代制造技術(shù)，漏源導(dǎo)通電阻降低了約40%。通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步改善了漏源導(dǎo)通電阻和柵極電荷特性之間的平衡。因此，新的產(chǎn)品可以提供業(yè)界最低的功耗。

東芝正在擴(kuò)展其降壓型產(chǎn)品生產(chǎn)線，從而有助于降低設(shè)備功耗。

應(yīng)用：

？開(kāi)關(guān)電源(高效交流-DC變換器、DC-DC變換器等)。(

？電機(jī)控制設(shè)備(電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。(

特征：

？業(yè)界功耗最低(通過(guò)改善導(dǎo)通電阻和柵極充電特性之間的平衡[2])

？行業(yè)最低阻力[3]:

Rds(開(kāi))=2.43m(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)

Rds (on)=19m(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)

？高額定通道溫度：Tch=175