英飛凌推出62mm CoolSiC模塊，為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域

2020-11-06 10:25:08

英飛凌科技股份有限公司在其1200 V CoolSiC MOSFET模塊系列中增加了一個62mm的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝產(chǎn)品。采用成熟的62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)和溝槽柵芯片技術(shù)，為250kW以上碳化硅的中功率應(yīng)用打開了大門(硅IGBT技術(shù)處于62mm封裝的功率密度極限)。在傳統(tǒng)的62毫米IGBT模塊的基礎(chǔ)上，碳化硅的應(yīng)用范圍已經(jīng)擴(kuò)展到太陽能、服務(wù)器、儲能、電動車充電樁、牽引、商用電磁爐和電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。

62mm模塊配有英飛凌cool sic MOSFET芯片，可以實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗可以最小化冷卻裝置的尺寸。當(dāng)工作在高開關(guān)頻率時，可以使用較小的磁性元件。借助英飛凌酷訊芯片技術(shù)，客戶可以設(shè)計(jì)更小的逆變器，從而降低整體系統(tǒng)成本。

它采用62毫米標(biāo)準(zhǔn)基板和螺紋接口，具有高度穩(wěn)健的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，從而最大限度地優(yōu)化和提高系統(tǒng)可用性，同時降低維護(hù)成本和停機(jī)損失。出色的溫度循環(huán)能力和150C連續(xù)工作溫度(Tvjop)帶來出色的系統(tǒng)可靠性。其對稱的內(nèi)部設(shè)計(jì)使得上下開關(guān)具有相同的開關(guān)條件。可以安裝可選的“預(yù)處理熱界面材料”(TIM)配置，以進(jìn)一步提高模塊的熱性能。