關(guān)于新型微電子封裝技術(shù)的介紹與分析_高都電子PCB技術(shù)中

1 前言

　　電路產(chǎn)業(yè)已成為國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的關(guān)鍵，而集成電路設(shè)計(jì)、制造和封裝測(cè)試是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的三大產(chǎn)業(yè)之柱。這已是各級(jí)領(lǐng)導(dǎo)和業(yè)界的共識(shí)。微電子封裝不但直接影響著集成電路本身的電性能、機(jī)械性能、光性能和熱性能，影響其可靠性和成本，還在很大程度上決定著電子整機(jī)系統(tǒng)的小型化、多功能化、可靠性和成本，微電子封裝越來(lái)越受到人們的普遍重視，在國(guó)際和國(guó)內(nèi)正處于蓬勃發(fā)展階段。本文試圖綜述自二十世紀(jì)九十年代以來(lái)迅速發(fā)展的新型微電子封裝技術(shù)，包括焊球陣列封裝（BGA）、芯片尺寸封裝（CSP）、圓片級(jí)封裝（WLP）、三維封裝（3D）和系統(tǒng)封裝（SIP）等項(xiàng)技術(shù)。介紹它們的發(fā)展?fàn)顩r和技術(shù)特點(diǎn)。同時(shí)，敘述了微電子三級(jí)封裝的概念。并對(duì)發(fā)展我國(guó)新型微電子封裝技術(shù)提出了一些思索和建議。本文試圖綜述自二十世紀(jì)九十年代以來(lái)迅速發(fā)展的新型微電子封裝技術(shù)，包括焊球陣列封裝（BGA）、芯片尺寸封裝（CSP）、圓片級(jí)封裝（WLP）、三維封裝（3D）和系統(tǒng)封裝（SIP）等項(xiàng)技術(shù)。介紹它們的發(fā)展?fàn)顩r和技術(shù)特點(diǎn)。同時(shí)，敘述了微電子三級(jí)封裝的概念。并對(duì)發(fā)展我國(guó)新型微電子封裝技術(shù)提出了一些思索和建議。

　　2 微電子三級(jí)封裝

　　微電子封裝，首先我們要敘述一下三級(jí)封裝的概念。一般說(shuō)來(lái)，微電子封裝分為三級(jí)。所謂一級(jí)封裝就是在半導(dǎo)體圓片裂片以后，將一個(gè)或多個(gè)集成電路芯片用適宜的封裝形式封裝起來(lái)，并使芯片的焊區(qū)與封裝的外引腳用引線鍵合（WB）、載帶自動(dòng)鍵合（TAB）和倒裝芯片鍵合（FCB）連接起來(lái)，使之成為有實(shí)用功能的電子元器件或組件。一級(jí)封裝包括單芯片組件（SCM）和多芯片組件（MCM）兩大類。三級(jí)封裝就是將二級(jí)封裝的產(chǎn)品通過(guò)選層、互連插座或柔性電路板與母板連結(jié)起來(lái)，形成三維立體封裝，構(gòu)成完整的整機(jī)系統(tǒng)，這一級(jí)封裝應(yīng)包括連接器、迭層組裝和柔性電路板等相關(guān)材料、設(shè)計(jì)和組裝技術(shù)。這一級(jí)也稱系統(tǒng)級(jí)封裝。所謂微電子封裝是個(gè)整體的概念，包括了從一極封裝到三極封裝的全部技術(shù)內(nèi)容。我們應(yīng)該把現(xiàn)有的認(rèn)識(shí)納入國(guó)際微電子封裝的軌道，這樣既有利于我國(guó)微電子封裝界與國(guó)外的技術(shù)交流，也有利于我國(guó)微電子封裝自身的發(fā)展。

　　3 新型微電子封裝技術(shù)

　　集成電路封裝的歷史，其發(fā)展主要?jiǎng)澐譃槿齻€(gè)階段。第一階段，在二十世紀(jì)七十年代之前，以插裝型封裝為主。包括最初的金屬圓形（TO型）封裝，后來(lái)的陶瓷雙列直插封裝（CDIP）、陶瓷-玻璃雙列直插封裝（CerDIP）和塑料雙列直插封裝（PDIP）。尤其是PDIP，由于性能優(yōu)良、成本低廉又能批量生產(chǎn)而成為主流產(chǎn)品。第二階段，在二十世紀(jì)八十年代以后，以表面安裝類型的四邊引線封裝為主。當(dāng)時(shí)，表面安裝技術(shù)被稱作電子封裝領(lǐng)域的一場(chǎng)革命，得到迅猛發(fā)展。與之相適應(yīng)，一批適應(yīng)表面安裝技術(shù)的封裝形式，如塑料有引線片式裁體（PLCC）、塑料四邊引線扁平封裝（PQFP）、塑料小外形封裝（PSOP）以及無(wú)引線四邊扁平封裝等封裝形式應(yīng)運(yùn)而生，迅速發(fā)展。由于密度高、引線節(jié)距小、成本低并適于表面安裝，使PQFP成為這一時(shí)期的主導(dǎo)產(chǎn)品。第三階段，在二十世紀(jì)九十年代以后，以面陣列封裝形式為主。薄膜多層基板MCM（MCM-D），塑料多層印制板MCM（MCM-L）和厚薄膜基板MCM（MCM-C/D）。

3.13D封裝

3D封裝主要有三種類型，即埋置型3D封裝，當(dāng)前主要有三種途徑：一種是在各類基板內(nèi)或多層布線介質(zhì)層中"埋置"R、C或IC等元器件，最上層再貼裝SMC和SMD來(lái)實(shí)現(xiàn)立體封裝，這種結(jié)構(gòu)稱為埋置型3D封裝;第二種是在硅圓片規(guī)模集成(WSl)后的有源基板上再實(shí)行多層布線，最上層再貼裝SMC和SMD，從而構(gòu)成立體封裝，這種結(jié)構(gòu)稱為有源基板型3D封裝;第三種是在2D封裝的基礎(chǔ)上，把多個(gè)裸芯片、封裝芯片、多芯片組件甚至圓片進(jìn)行疊層互連，構(gòu)成立體封裝，這種結(jié)構(gòu)稱作疊層型3D封裝。在這些3D封裝類型中，發(fā)展最快的是疊層裸芯片封裝。原因有兩個(gè)。一是巨大的手機(jī)和其它消費(fèi)類產(chǎn)品市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)，要求在增加功能的同時(shí)減薄封裝厚度。二是它所用的工藝基本上與傳統(tǒng)的工藝相容，經(jīng)過(guò)改進(jìn)很快能批量生產(chǎn)并投入市場(chǎng)。據(jù)Prismarks預(yù)測(cè)，世界的手機(jī)銷售量將從2001年的393M增加到2006年的785M～1140M。年增長(zhǎng)率達(dá)到15～24%。因此在這個(gè)基礎(chǔ)上估計(jì)，疊層裸芯片封裝從目前到2006年將以50～60%的速度增長(zhǎng)。圖6示出了疊層裸芯片封裝的外形。它的目前水平和發(fā)展趨勢(shì)示于表3。

　　疊層裸芯片封裝有兩種疊層方式，一種是金字塔式，從底層向上裸芯片尺寸越來(lái)越小;另一種是懸梁式，疊層的芯片尺寸一樣大。應(yīng)用于手機(jī)的初期，疊層裸芯片封裝主要是把FlashMemory和SRAM疊在一起，目前已能把FlashMemory、DRAM、邏輯IC和模擬IC等疊在一起。疊層裸芯片封裝所涉及的關(guān)鍵技術(shù)有如下幾個(gè)。①圓片減薄技術(shù)，由于手機(jī)等產(chǎn)品要求封裝厚度越來(lái)越薄，目前封裝厚度要求在1.2mm以下甚至1.0mm。而疊層芯片數(shù)又不斷增加，因此要求芯片必須減薄。圓片減薄的方法有機(jī)械研磨、化學(xué)刻蝕或ADP(Atmosphere DownstreamPlasma)。機(jī)械研磨減薄一般在150μm左右。而用等離子刻蝕方法可達(dá)到100μm，對(duì)于75-50μm的減薄正在研發(fā)中;②低弧度鍵合，因?yàn)樾酒穸刃∮?50μm，所以鍵合弧度高必須小于150μm。目前采用25μm金絲的正常鍵合弧高為125μm，而用反向引線鍵合優(yōu)化工藝后可以達(dá)到75μm以下的弧高。與此同時(shí)，反向引線鍵合技術(shù)要增加一個(gè)打彎工藝以保證不同鍵合層的間隙;③懸梁上的引線鍵合技術(shù)，懸梁越長(zhǎng)，鍵合時(shí)芯片變形越大，必須優(yōu)化設(shè)計(jì)和工藝;④圓片凸點(diǎn)制作技術(shù);⑤鍵合引線無(wú)擺動(dòng)(NOSWEEP)模塑技術(shù)。由于鍵合引線密度更高，長(zhǎng)度更長(zhǎng)，形狀更復(fù)雜，增加了短路的可能性。使用低粘度的模塑料和降低模塑料的轉(zhuǎn)移速度有助于減小鍵合引線的擺動(dòng)。目前已發(fā)明了鍵合引線無(wú)擺動(dòng)(NOSWEEP)模塑技術(shù)。

　　3.2焊球陣列封裝（BGA）

　　陣列封裝（BGA）是世界上九十年代初發(fā)展起來(lái)的一種新型封裝。

　　BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點(diǎn)按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是I/O引腳數(shù)雖然增加了，但引腳間距并沒(méi)有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術(shù)有所減少；寄生參數(shù)減小，信號(hào)傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。

　　這種BGA的突出的優(yōu)點(diǎn)：①電性能更好：BGA用焊球代替引線，引出路徑短，減少了引腳延遲、電阻、電容和電感；②封裝密度更高；由于焊球是整個(gè)平面排列，因此對(duì)于同樣面積，引腳數(shù)更高。例如邊長(zhǎng)為31mm的BGA，當(dāng)焊球節(jié)距為1mm時(shí)有900只引腳，相比之下，邊長(zhǎng)為32mm，引腳節(jié)距為0.5mm的QFP只有208只引腳；③BGA的節(jié)距為1.5mm、1.27mm、1.0mm、0.8mm、0.65mm和0.5mm，與現(xiàn)有的表面安裝工藝和設(shè)備完全相容，安裝更可靠；④由于焊料熔化時(shí)的表面張力具有"自對(duì)準(zhǔn)"效應(yīng)，避免了傳統(tǒng)封裝引線變形的損失，大大提高了組裝成品率；⑤BGA引腳牢固，轉(zhuǎn)運(yùn)方便；⑥焊球引出形式同樣適用于多芯片組件和系統(tǒng)封裝。因此，BGA得到爆炸性的發(fā)展。BGA因基板材料不同而有塑料焊球陣列封裝（PBGA），陶瓷焊球陣列封裝（CBGA），載帶焊球陣列封裝（TBGA），帶散熱器焊球陣列封裝（EBGA），金屬焊球陣列封裝（MBGA），還有倒裝芯片焊球陣列封裝（FCBGA。PQFP可應(yīng)用于表面安裝，這是它的主要優(yōu)點(diǎn)。但是當(dāng)PQFP的引線節(jié)距達(dá)到0.5mm時(shí)，它的組裝技術(shù)的復(fù)雜性將會(huì)增加。在引線數(shù)大于200條以上和封裝體尺寸超過(guò)28mm見(jiàn)方的應(yīng)用中，BGA封裝取代PQFP是必然的。在以上幾類BGA封裝中，F(xiàn)CBGA最有·希望成為發(fā)展最快的BGA封裝，我們不妨以它為例，敘述BGA的工藝技術(shù)和材料。FCBGA除了具有BGA的所有優(yōu)點(diǎn)以外，還具有：①熱性能優(yōu)良，芯片背面可安裝散熱器；②可靠性高，由于芯片下填料的作用，使FCBGA抗疲勞壽命大大增強(qiáng)；③可返修性強(qiáng)。

　　因?yàn)楸砻娼M裝板上已經(jīng)裝有其他元器件，因此必須采用BGA專用小模板，模板厚度與開(kāi)口尺寸要根據(jù)球徑和球距確定，印刷完畢后必須檢查印刷質(zhì)量，如不合格，必須將PCB清洗干凈并涼干后重新印刷。對(duì)于球距為0.4mm以下的CSP，可以不印焊膏，因此不需要加工返修用的模板，直接在PCB的焊盤(pán)上涂刷膏狀助焊劑。需要拆元件的PCB放到焊爐里，按下再流焊鍵，等機(jī)器按設(shè)定的程式走完，在溫度最高時(shí)按下進(jìn)出鍵，用真空吸筆取下要拆下的元件，PCB板冷卻即可。

　　FCBGA所涉及的關(guān)鍵技術(shù)包括芯片凸點(diǎn)制作技術(shù)、倒裝芯片焊接技術(shù)、多層印制板制作技術(shù)（包括多層陶瓷基板和BT樹(shù)脂基板）、芯片底部填充技術(shù)、焊球附接技術(shù)、散熱板附接技術(shù)等。它所涉及的封裝材料主要包括以下幾類。凸點(diǎn)材料：Au、PbSn和AuSn等；凸點(diǎn)下金屬化材料：Al/Niv/Cu、Ti/Ni/Cu或Ti/W/Au;焊接材料：PbSn焊料、無(wú)鉛焊料；多層基板材料：高溫共燒陶瓷基板（HTCC）、低溫共燒陶瓷基板（LTCC）、BT樹(shù)脂基板；底部填充材料：液態(tài)樹(shù)脂；導(dǎo)熱膠：硅樹(shù)脂；散熱板：銅。

　　3.3 芯片尺寸封裝（CSP）

　　CSP（Chip Scale Package）封裝，是芯片級(jí)封裝的意思。CSP封裝最新一代的內(nèi)存芯片封裝技術(shù)，其技術(shù)性能又有了新的提升。CSP封CSP封裝裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過(guò)1:1.14，已經(jīng)相當(dāng)接近1:1的理想情況，絕對(duì)尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當(dāng)于TSOP內(nèi)存芯片面積的1/6。與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲(chǔ)容量提高三倍。

　　芯片尺寸封裝（CSP）和BGA是同一時(shí)代的產(chǎn)物，是整機(jī)小型化、便攜化的結(jié)果。美國(guó)JEDEC給CSP的定義是：LSI芯片封裝面積小于或等于LSI芯片面積120%的封裝稱為CSP。由于許多CSP采用BGA的形式，所以最近兩年封裝界權(quán)威人士認(rèn)為，焊球節(jié)距大于等于lmm的為BGA，小于lmm的為CSP。由于CSP具有更突出的優(yōu)點(diǎn)：①近似芯片尺寸的超小型封裝；②保護(hù)裸芯片；③電、熱性優(yōu)良；④封裝密度高；⑤便于測(cè)試和老化；⑥便于焊接、安裝和修整更換。因此，九十年代中期得到大跨度的發(fā)展，每年增長(zhǎng)一倍左右。由于CSP正在處于蓬勃發(fā)展階段，因此，它的種類有限多。如剛性基板CSP、柔性基板CSP、引線框架型CSP、微小模塑型CSP、焊區(qū)陣列CSP、微型BGA、凸點(diǎn)芯片載體（BCC）、QFN型CSP、芯片迭層型CSP和圓片級(jí)CSP（WLCSP）等。CSP的引腳節(jié)距一般在1.0mm以下，有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm和0.25mm等。表2示出了CSP系列。

　　一般地CSP，都是將圓片切割成單個(gè)IC芯片后再實(shí)施后道封裝的，而WLCSP則不同，它的全部或大部分工藝步驟是在已完成前工序的硅圓片上完成的，最后將圓片直接切割成分離的獨(dú)立器件。所以這種封裝也稱作圓片級(jí)封裝（WLP） 。因此，除了CSP的共同優(yōu)點(diǎn)外，它還具有獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)：①封裝加工效率高，可以多個(gè)圓片同時(shí)加工；②具有倒裝芯片封裝的優(yōu)點(diǎn)，即輕、薄、短、小；③與前工序相比，只是增加了引腳重新布線（RDL）和凸點(diǎn)制作兩個(gè)工序，其余全部是傳統(tǒng)工藝；④減少了傳統(tǒng)封裝中的多次測(cè)試。因此世界上各大型IC封裝公司紛紛投入這類WLCSP的研究、開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)。WLCSP的不足是目前引腳數(shù)較低，還沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)化和成本較高。

　　CSP封裝內(nèi)存芯片的中心引腳形式有效地縮短了信號(hào)的傳導(dǎo)距離，其衰減隨之減少，芯片的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得CSP的存取時(shí)間比BGA改善15%-20%。在CSP的封裝方式中，內(nèi)存顆粒是通過(guò)一個(gè)個(gè)錫球焊接在PCB板上，由于焊點(diǎn)和PCB板的接觸面積較大，所以內(nèi)存芯片在運(yùn)行中所產(chǎn)生的熱量可以很容易地傳導(dǎo)到PCB板上并散發(fā)出去。CSP封裝可以從背面散熱，且熱效率良好，CSP的熱阻為35℃/W，而TSOP熱阻40℃/W。

　　CSP技術(shù)是在電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代時(shí)提出來(lái)的，它的目的是在使用大芯片（芯片功能更多，性能更好，芯片更復(fù)雜）替代以前的小芯片時(shí)，其封裝體占用印刷板的面積保持不變或更小。正是由于CSP產(chǎn)品的封裝體小、薄，因此它的手持式移動(dòng)電子設(shè)備中迅速獲得了應(yīng)用。在1996年8月，日本Sharp公司就開(kāi)始了批量生產(chǎn)CSP產(chǎn)品；在1996年9月，日本索尼公司開(kāi)始用日本TI和NEC公司提供的CSP產(chǎn)品組裝攝像機(jī)；在1997年，美國(guó)也開(kāi)始生產(chǎn)CSP產(chǎn)品。世界上有幾十家公司可以提供CSP產(chǎn)品，各類CSP產(chǎn)品品種多達(dá)一百種以上。[

　　WLCSP所涉及的關(guān)鍵技術(shù)除了前工序所必須的金屬淀積技術(shù)、光刻技術(shù)、蝕刻技術(shù)等以外，還包括重新布線（RDL）技術(shù)和凸點(diǎn)制作技術(shù)。通常芯片上的引出端焊盤(pán)是排到在管芯周邊的方形鋁層，為了使WLP適應(yīng)了SMT二級(jí)封裝較寬的焊盤(pán)節(jié)距，需將這些焊盤(pán)重新分布，使這些焊盤(pán)由芯片周邊排列改為芯片有源面上陣列排布，這就需要重新布線（RDL）技術(shù)。焊料凸點(diǎn)制作技術(shù)可采用電鍍法、化學(xué)鍍法、蒸發(fā)法、置球法和焊膏印刷法。目前仍以電鍍法最為廣泛，其次是焊膏印刷法。重新布線中UBM材料為Al/Niv/Cu、T1/Cu/Ni或Ti/W/Au。所用的介質(zhì)材料為光敏BCB（苯并環(huán)丁烯）或PI（聚酰亞胺）凸點(diǎn)材料有Au、PbSn、AuSn、In等。 

　　3.4系統(tǒng)封裝（SIP）

　　實(shí)現(xiàn)電子整機(jī)系統(tǒng)的功能，通常有兩個(gè)途徑。一種是系統(tǒng)級(jí)芯片（Systemon Chip），簡(jiǎn)稱SOC。即在單一的芯片上實(shí)現(xiàn)電子整機(jī)系統(tǒng)的功能；另一種是系統(tǒng)級(jí)封裝（SysteminPackage），簡(jiǎn)稱SIP。即通過(guò)封裝來(lái)實(shí)現(xiàn)整機(jī)系統(tǒng)的功能。從學(xué)術(shù)上講，這是兩條技術(shù)路線，就象單片集成電路和混合集成電路一樣，各有各的優(yōu)勢(shì)，各有各的應(yīng)用市場(chǎng)。在技術(shù)上和應(yīng)用上都是相互補(bǔ)充的關(guān)系，作者認(rèn)為，SOC應(yīng)主要用于應(yīng)用周期較長(zhǎng)的高性能產(chǎn)品，而SIP主要用于應(yīng)用周期較短的消費(fèi)類產(chǎn)品。

　　SIP 的一個(gè)重要特點(diǎn)是它不定義要建立的會(huì)話的類型，而只定義應(yīng)該如何管理會(huì)話。有了這種靈活性，也就意味著SIP可以用于眾多應(yīng)用和服務(wù)中，包括交互式游戲、音樂(lè)和視頻點(diǎn)播以及語(yǔ)音、視頻和 Web 會(huì)議。SIP消息是基于文本的，因而易于讀取和調(diào)試。新服務(wù)的編程更加簡(jiǎn)單，對(duì)于設(shè)計(jì)人員而言更加直觀。SIP如同電子郵件客戶機(jī)一樣重用 MIME 類型描述，因此與會(huì)話相關(guān)的應(yīng)用程序可以自動(dòng)啟動(dòng)。SIP 重用幾個(gè)現(xiàn)有的比較成熟的 Internet 服務(wù)和協(xié)議，如 DNS、RTP、RSVP 等。

　　SIP 較為靈活，可擴(kuò)展，而且是開(kāi)放的。它激發(fā)了 Internet 以及固定和移動(dòng) IP 網(wǎng)絡(luò)推出新一代服務(wù)的威力。SIP 能夠在多臺(tái) PC 和電話上完成網(wǎng)絡(luò)消息，模擬 Internet 建立會(huì)話。

　　SIP是使用成熟的組裝和互連技術(shù)，把各種集成電路如CMOS電路、GaAs電路、SiGe電路或者光電子器件、MEMS器件以及各類無(wú)源元件如電容、電感等集成到一個(gè)封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)整機(jī)系統(tǒng)的功能。主要的優(yōu)點(diǎn)包括：①采用現(xiàn)有商用元器件，制造成本較低；②產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的周期短；③無(wú)論設(shè)計(jì)和工藝，有較大的靈活性；④把不同類型的電路和元件集成在一起，相對(duì)容易實(shí)現(xiàn)。美國(guó)佐治亞理工學(xué)院PRC研究開(kāi)發(fā)的單級(jí)集成模塊（SingleIntegrated Module）簡(jiǎn)稱SLIM，就是SIP的典型代表，該項(xiàng)目完成后，在封裝效率、性能和可靠性方面提高10倍，尺寸和成本較大下降。到2010年預(yù)期達(dá)到的目標(biāo)包括布線密度達(dá)到6000cm/cm2;熱密度達(dá)到100W/cm2;元件密度達(dá)到5000/cm2;I/O密度達(dá)到3000/cm2。

　　盡管SIP還是一種新技術(shù)，目前尚不成熟，但仍然是一個(gè)有發(fā)展前景的技術(shù)，尤其在中國(guó)，可能是一個(gè)發(fā)展整機(jī)系統(tǒng)的捷徑。

　　4 思考和建議

　　面對(duì)世界蓬勃發(fā)展的微電子封裝形勢(shì)，分析我國(guó)目前的現(xiàn)狀，我們必須深思一些問(wèn)題。

　　一、高度重視微電子三級(jí)封裝的垂直集成。我們應(yīng)該以電子系統(tǒng)為龍頭，牽動(dòng)一級(jí)、二級(jí)和三級(jí)封裝，方能占領(lǐng)市場(chǎng)，提高經(jīng)濟(jì)效益，不斷發(fā)展。我們?cè)h把手機(jī)和雷達(dá)作為技術(shù)平臺(tái)發(fā)展我國(guó)的微電子封裝，就是出于這種考慮。

　　二、高度重視不同領(lǐng)域和技術(shù)的交叉及融合。不同材料的交叉和融合產(chǎn)生新的材料；不同技術(shù)交叉和融合產(chǎn)生新的技術(shù)；不同領(lǐng)域的交叉和融合產(chǎn)生新的領(lǐng)域。過(guò)去，同行業(yè)交流很多，但不同行業(yè)交流不夠。我們應(yīng)該充分發(fā)揮電子學(xué)會(huì)各分會(huì)的作用，積極組織這種技術(shù)交流。

　　三、微電子封裝與電子產(chǎn)品密不可分，已經(jīng)成為制約電子產(chǎn)品乃至系統(tǒng)發(fā)展的核心技術(shù)，是電子行業(yè)先進(jìn)制造技術(shù)之一，誰(shuí)掌握了它，誰(shuí)就將掌握電子產(chǎn)品和系統(tǒng)的未來(lái)。

　　四、微電子封裝必須與時(shí)俱進(jìn)才能發(fā)展。國(guó)際微電子封裝的歷史證明了這一點(diǎn)。我國(guó)微電子封裝如何與時(shí)俱進(jìn)？當(dāng)務(wù)之急是研究我國(guó)微電子封裝的發(fā)展戰(zhàn)略，制訂發(fā)展規(guī)劃。二是優(yōu)化我國(guó)微電子封裝的科研生產(chǎn)體系。三是積極倡導(dǎo)和大力發(fā)展屬于我國(guó)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的原創(chuàng)技術(shù)。否則，我們將越跟蹤越落后。在這一點(diǎn)上，我們可以很好地借鑒韓國(guó)和臺(tái)灣的經(jīng)驗(yàn)。

　　五、我們的觀念、技術(shù)和管理必須與國(guó)際接軌，走國(guó)際合作之路，把我們民族的精華與精彩的世界溶為一體，共同發(fā)展。

( 編輯：Levi )